SI7108DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI7108DN-T1-GE3 MOS管，采用業界領先的N溝道設計，封裝緊湊且高效——DFN3X3-8L規格，特別適用于空間有限的精密電路。該器件擁有20V的穩定工作電壓VDSS，最大連續電流可達60A，展現出卓越的電流處理能力。尤為突出的是其超低的導通電阻僅4mR，旨在提升系統能效，減少損耗。此款MOS管適用于高功率密度應用，包括但不限于電源轉換器、大電流開關控制器等，是追求高性能電子產品的必備元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7108DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢