SIS410DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SIS410DN-T1-GE3 MOS管是一款高性能N溝道半導體組件，采用先進的DFN3X3-8L封裝技術，體積小，性能強。其特點在于20V的最大耐壓值VDSS，能夠承載高達60A的連續電流ID，而僅4mR的超低導通電阻使其在同類產品中脫穎而出，大大提升了電源轉換效率和整體系統性能。本產品廣泛適用于高壓、大電流應用場景，如電源管理、馬達驅動等，是您實現高效能電路設計的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIS410DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢