NVTFS008N04C_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NVTFS008N04C 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，特別適用于空間有限和高集成度的電子設(shè)計(jì)。器件具有40V的漏源電壓(VDSS)，能夠承載高達(dá)60A的連續(xù)漏極電流(ID)，并擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻性能，僅為6.9mΩ(RD(on))，確保了高效的功率轉(zhuǎn)換和較低的損耗。該MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高功率應(yīng)用場合，是您提升系統(tǒng)性能和能效的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NVTFS008N04C_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢