NVTFWS008N04C_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.9mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

NVTFWS008N04C 是一款高性能N溝道MOSFET，采用節省空間的DFN3X3-8L封裝，專為高密度電路板設計。器件具有40V的漏源耐壓(VDSS)，可承受高達60A的連續漏極電流(ID)，并具有出色的導通電阻6.9mΩ(RD(on))，在高效能應用中表現出色，有效降低功耗。這款MOS管廣泛應用于電源轉換、電機驅動、快速充電器等高功率領域，是提高系統能效的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NVTFWS008N04C_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.9mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.9mR 標價：歡迎咨詢