SISB46DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N+N溝道參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/40.0A 參數4：RDON/7.2mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SISB46DN-T1-GE3 是一款高性能NN溝道MOSFET，采用超小型DFN3X3-8L封裝，旨在滿足現代緊湊型電路設計要求。器件特性包括最高漏源電壓(VDSS)可達40V，提供40A的強大連續漏極電流(ID)，尤其出色的是其僅為7.2mΩ的超低導通電阻(RD(on))，在高電流傳輸時有效減少功耗，提高能源效率。這款MOS管廣泛應用在電源轉換等領域的高頻開關和大電流控制場合，是高效、節能解決方案的理想之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SISB46DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N+N溝道 參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/40.0A 參數4：RDON/7.2mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N+N溝道參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/40.0A 參數4：RDON/7.2mR 標價：歡迎咨詢