NTTFS4928N_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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NTTFS4928N MOS管采用先進(jìn)的N溝道工藝，封裝形式為緊湊型DFN3X3-8L，專為高效能電路設(shè)計。其擁有30V的最大額定電壓(VDSS)，可穩(wěn)定承載高達(dá)100A的連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)出卓越的電力處理能力。此款MOS管導(dǎo)通電阻僅為4mΩ(RD(on))，確保了在高電流工作狀態(tài)下仍保持較低的功率損耗，是各類電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTTFS4928N_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢