NTTFS4C10N_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

NTTFS4C10N N溝道MOS管采用業(yè)界領(lǐng)先的DFN3X3-8L封裝形式，充分展現(xiàn)小型化、高集成度的優(yōu)勢。本器件的工作電壓VDSS高達30V，可承載100A連續(xù)漏極電流，彰顯卓越的電流處理能力。尤為突出的是其極低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為4mΩ，旨在優(yōu)化電源效率，減少系統(tǒng)發(fā)熱。此款MOS管憑借強大的性能指標(biāo)，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、馬達驅(qū)動等高功率領(lǐng)域，為您的電子設(shè)計提供可靠高效的解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTTFS4C10N_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢