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              SI7121ADN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：DFN3X3-8L
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：5000圓盤
                                                        參數1：P溝道
                                                        參數2：VDSS/30.0V
                                                        參數3：ID/40.0A
                                                        參數4：RDON/13.0mR
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
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              熱銷SI7121ADN-T1-GE3 P溝道MOSFET，采用精巧DFN3X3-8L封裝工藝，以實現更高的集成密度和優異散熱效果。此款MOS管具備強大參數額定電壓VDSS為30V，可承受最大連續電流ID40A，并擁有超低導通電阻RD(on)僅為13mΩ，顯著增強系統能效表現。廣泛應用在高級電源管理、電機驅動控制等領域，是您優化電路設計、追求卓越性能的理想半導體組件。


                              
              
            
              
            
              
                
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