IRFHM9331PBF_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

力薦IRFHM9331PBF P溝道MOSFET，采用現(xiàn)代化DFN3X3-8L封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)小型化與高效散熱。這款器件強(qiáng)大之處在于具有30V的最大耐壓值(VDSS)，可持續(xù)提供高達(dá)40A的工作電流，并配備業(yè)界領(lǐng)先的13mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，大幅度減少能量損耗。適用于廣泛的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高功率應(yīng)用場(chǎng)合，是優(yōu)化系統(tǒng)效能和節(jié)能降耗的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

IRFHM9331PBF_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢