SI7123DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/48.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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SI7123DN-T1-GE3 P溝道MOS管是一款高性能半導體器件，采用先進的DFN3X3-8L封裝技術，實現了空間節省和高效散熱。該器件具有20V的額定電壓VDSS，并能在滿負荷下提供穩定的48A漏極電流ID。尤為突出的是其業界領先的導通電阻RD(on)，僅為7.5mΩ，大幅度提升了系統能效，減少了不必要的功耗。SI7123DN-T1-GE3 MOS管專為高電流應用設計，如電源開關、電池管理系統等，是追求高效能、低損耗解決方案的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7123DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/48.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/48.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢