SI7123DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/48.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SI7123DN-T1-GE3 P溝道MOS管是一款高性能半導(dǎo)體器件，采用先進(jìn)的DFN3X3-8L封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了空間節(jié)省和高效散熱。該器件具有20V的額定電壓VDSS，并能在滿負(fù)荷下提供穩(wěn)定的48A漏極電流ID。尤為突出的是其業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻RD(on)，僅為7.5mΩ，大幅度提升了系統(tǒng)能效，減少了不必要的功耗。SI7123DN-T1-GE3 MOS管專為高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)，如電源開關(guān)、電池管理系統(tǒng)等，是追求高效能、低損耗解決方案的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

SI7123DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/48.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/48.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢