SI7613DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/48.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI7613DN-T1-GE3 P溝道MOS管，采用小型化DFN3X3-8L封裝工藝，實現更高集成度與散熱效率。器件工作電壓VDSS高達20V，最大連續漏極電流ID為48A，彰顯卓越的電流傳送性能。其亮點在于極低的導通電阻RD(on)僅為7.5mΩ，有助于大幅削減系統損耗，提升整體效能。這款MOS管適用于電源管理、電池保護等高電流應用場合，憑借強大的電流承載能力和優秀的能效表現，SI7613DN-T1-GE3 成為現代電子產品設計的理想半導體組件選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7613DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/48.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/48.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢