SIS402DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SIS402DN-T1-GE3 MOS管是一款采用小型化DFN3X3-8L封裝技術(shù)的高性能N溝道MOSFET。其關(guān)鍵特性包括30V的最大漏源電壓VDSS，以及強(qiáng)大的100A連續(xù)電流ID處理能力，充分滿足高功率應(yīng)用需求。尤為突出的是其優(yōu)異的導(dǎo)通電阻RD(on)，低至4mR，旨在最大程度地減小傳導(dǎo)損耗，提高整體系統(tǒng)效能，特別適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動控制、電池管理系統(tǒng)等對效率與散熱有嚴(yán)格要求的場景，是您實(shí)現(xiàn)高效能電路設(shè)計(jì)的理想組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIS402DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢