SI7415DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/55.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI7415DN-T1-GE3 是一款采用先進DFN3X3-8L封裝技術的P溝道MOS管，以其緊湊結構和優良性能脫穎而出。其具備60V的高額定漏源電壓VDSS，可承載20A連續電流ID，適合于高壓應用環境。同時，導通電阻RD(on)僅為55mR，有效降低功率損耗，提高整體能效。這款MOS管廣泛應用在電源轉換、負載開關、電池管理系統等領域，是追求高效、節能電路設計的理想元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7415DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/55.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/55.0mR 標價：歡迎咨詢