NTTFS4929N_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTTFS4929N N溝道MOSFET，采用小型化DFN3X3-8L封裝，特別適合現(xiàn)代緊湊型電子設(shè)備需求。該器件具有30V的擊穿電壓（VDSS），能夠承受高達(dá)50A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)出強(qiáng)大的電流處理能力。其優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻僅為7.5mΩ（RD(on)），大大降低了傳導(dǎo)損耗，提高了能源轉(zhuǎn)換效率。這款MOS管廣泛應(yīng)用于高端開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動及高速信號切換等領(lǐng)域，是高要求電路設(shè)計的理想解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTTFS4929N_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢