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              CSD17578Q3A_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/30.0V 參數3:ID/60.0A 參數4:RDON/6.0mR 標價:歡迎咨詢

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              CSD17578Q3A N溝道MOSFET采用先進的DFN3X3-8L封裝技術,實現小型化與高效散熱的完美結合。該器件性能卓越,具有30V的最大漏源電壓(VDSS),支持高達60A的連續工作電流,其導通電阻(RD(on))低至6mΩ,確保了出色的能效比和低功耗表現。廣泛應用在電源轉換、電池管理系統、電機驅動等領域,是提升系統性能與節能效果的理想半導體組件。



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