CSD17578Q3A_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

CSD17578Q3A N溝道MOSFET采用先進的DFN3X3-8L封裝技術，實現小型化與高效散熱的完美結合。該器件性能卓越，具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，支持高達60A的連續工作電流，其導通電阻(RD(on))低至6mΩ，確保了出色的能效比和低功耗表現。廣泛應用在電源轉換、電池管理系統、電機驅動等領域，是提升系統性能與節能效果的理想半導體組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

CSD17578Q3A_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢