CSD16411Q3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

CSD16411Q3 N溝道MOS管，采用先進的DFN3X3-8L封裝工藝，小巧輕便，適用于高密度電路設計。具備30V的耐壓等級（VDSS）和高達60A的連續漏極電流（ID），確保卓越的電力處理能力。其導通電阻僅為6mΩ（RD(on)），有效降低功耗，提升系統能效。此款MOS管是您在高頻開關電源、電機驅動等應用中的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

CSD16411Q3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢