SQ7414AEN-T1_GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/24.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

型號為SQ7414AEN-T1_GE3 的MOS管，是一款高性能N溝道半導(dǎo)體器件，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，專為現(xiàn)代精密電子設(shè)備的小型化需求而設(shè)計。該器件具有出色的電氣特性，包括60V的最大額定電壓VDSS及高達30A的連續(xù)電流ID，能在嚴(yán)苛條件下保持穩(wěn)定性能。更值得一提的是，其卓越的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為24mΩ，有助于大幅度減少功率損耗，提高系統(tǒng)效能，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)控制、馬達驅(qū)動等各種場景中，是您實現(xiàn)高效能解決方案的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SQ7414AEN-T1_GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/24.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/24.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢