NVTFS4C06N_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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NVTFS4C06N 型號(hào)N溝道MOS管，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝設(shè)計(jì)，整合了高集成度與高效散熱性能，尤其適用于現(xiàn)代電子設(shè)備的精細(xì)化布線需求。該器件額定電壓VDSS為30V，可處理高達(dá)100A的連續(xù)電流ID，體現(xiàn)卓越的電力傳輸效能。其4mR超低導(dǎo)通電阻，有效提升系統(tǒng)能效并降低功耗。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

NVTFS4C06N_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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