NVTFS015N04C_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NVTFS015N04C N溝道MOS管采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，提供出色的散熱性能和空間節(jié)省優(yōu)勢。該器件支持40V的工作電壓VDSS，具備處理60A連續(xù)漏極電流ID的能力，特別適用于高電流應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻RD(on)低至6.9mΩ，顯著減少系統(tǒng)功率損耗，提升整體能效。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、新能源等領(lǐng)域，NVTFS015N04C MOS管是實現(xiàn)高效、節(jié)能半導(dǎo)體解決方案的關(guān)鍵組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NVTFS015N04C_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.9mR 標(biāo)價：歡迎咨詢