DMG1013T_SOT-523_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.7A 參數(shù)4：RDON/260.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMG1013T P溝道MOS管采用精巧的SOT-523封裝，專為現(xiàn)代緊湊型電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)。器件最大工作電壓VDSS為20V，持續(xù)電流承載能力高達(dá)0.7A，具備優(yōu)秀的260mR導(dǎo)通電阻，確保低功耗下的高效能運(yùn)行。廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、電池管理、低電壓系統(tǒng)開關(guān)控制等場景，DMG1013T 憑借其卓越的電氣性能與小巧封裝，成為電路設(shè)計(jì)中節(jié)省空間與提升效率的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

DMG1013T_SOT-523_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.7A 參數(shù)4：RDON/260.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.7A 參數(shù)4：RDON/260.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢