SI1013X-T1-GE3_SOT-523_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-523 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.7A 參數(shù)4：RDON/260.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SI1013X-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用超小型SOT-523封裝，特別適合于緊湊型電子設(shè)備的內(nèi)部空間優(yōu)化。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，可穩(wěn)定傳輸0.7A漏極電流(ID)，同時(shí)，它還具有260mR的導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在低電壓、小電流應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)良好性能和低功耗。這款MOS管廣泛應(yīng)用于電源管理、電池保護(hù)、邏輯電平轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景，是小型化電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

SI1013X-T1-GE3_SOT-523_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-523 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.7A 參數(shù)4：RDON/260.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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