RUE002N02_SOT-523_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

RUE002N02 是一款采用精巧SOT-523封裝的高效能N溝道MOSFET，具備出色的電性參數(shù)。其工作電壓VDSS高達(dá)20V，連續(xù)通過電流ID高達(dá)0.8A，同時(shí)擁有超低導(dǎo)通電阻RD(on)，僅為100mR，確保了器件在運(yùn)行中的高效能與低損耗表現(xiàn)。這款MOS管非常適合應(yīng)用于各類電源轉(zhuǎn)換、電池保護(hù)、便攜式設(shè)備及消費(fèi)電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)中，為您的產(chǎn)品帶來更強(qiáng)的功率管理和更高的能效比。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

RUE002N02_SOT-523_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢