SI1012R-T1-GE3_SOT-523_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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SI1012R-T1-GE3 是一款采用微型SOT-523封裝的高品質(zhì)N溝道MOSFET。它具備卓越的電氣性能，工作電壓VDSS高達(dá)20V，可承載最大連續(xù)電流ID為0.8A，而且擁有極為出色的導(dǎo)通電阻RD(on)僅100mR，有助于提升系統(tǒng)能效并減小能耗。此款MOS管適合用于電源轉(zhuǎn)換、電池供電設(shè)備、智能家居產(chǎn)品及其他空間受限但需高性能開關(guān)功能的場合，是工程師優(yōu)化電路設(shè)計(jì)的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI1012R-T1-GE3_SOT-523_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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