SI1012X-T1-GE3_SOT-523_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-523 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

SI1012X-T1-GE3 是一款采用先進(jìn)SOT-523封裝技術(shù)的高性能N溝道MOS管。器件具有強(qiáng)大而穩(wěn)定的電氣性能，額定電壓VDSS高達(dá)20V，可持續(xù)提供0.8A的最大電流ID，同時(shí)擁有出色的導(dǎo)通電阻RD(on)低至100mR，確保高效低耗運(yùn)行。這款MOS管廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載驅(qū)動(dòng)、便攜設(shè)備以及智能硬件領(lǐng)域，憑借其卓越的性能和緊湊封裝，為用戶(hù)在設(shè)計(jì)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)最佳的功率管理方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

SI1012X-T1-GE3_SOT-523_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-523 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-523 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/0.8A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)