SI1032R-T1-GE3_SOT-523_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/0.8A 參數4：RDON/180.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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SI1032R-T1-GE3 是一款高端N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-523封裝設計，適用于空間有限的應用場景。器件特點鮮明，具有20V的VDSS電壓，可承載0.8A連續電流ID，而其優異的導通電阻RD(on)低至180mR，確保了高效能和低功耗運行。此款MOS管適用于電源轉換、電池管理系統、消費電子等多種領域，是提升系統性能、優化能源利用的理想半導體器件選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI1032R-T1-GE3_SOT-523_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/0.8A 參數4：RDON/180.0mR 標價：歡迎咨詢

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