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BSS214NWH6327_SOT-323_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-323 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/49.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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BSS214NWH6327 是一款采用SOT-323封裝的高性能N溝道MOSFET，專為小型化和高能效電子設(shè)備設(shè)計(jì)。該器件支持最大20V的漏源電壓(VDSS)，可持續(xù)提供2A的漏極電流(ID)，其特色在于49mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效降低了功耗并提升了系統(tǒng)效能。廣泛應(yīng)用在諸如移動(dòng)設(shè)備、電源轉(zhuǎn)換、邏輯控制等對(duì)尺寸和效率有較高要求的場(chǎng)景中，是理想的MOS管組件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

BSS214NWH6327_SOT-323_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-323 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/49.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-323 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/49.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢