MCH3376_SOT-323_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-323 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/1.8A 參數(shù)4：RDON/120.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

MCH3376 是一款高效P溝道MOSFET，采用小型SOT-323封裝，專(zhuān)為高密度電路設(shè)計(jì)。器件提供20V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載1.8A的連續(xù)漏極電流(ID)，并具有120mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在低功耗下保持良好的電能轉(zhuǎn)換效率。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、邏輯電路反轉(zhuǎn)等領(lǐng)域，是小型化、節(jié)能型電子設(shè)備的理想半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

MCH3376_SOT-323_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-323 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/1.8A 參數(shù)4：RDON/120.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-323 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/1.8A 參數(shù)4：RDON/120.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)