DMP2066LSN_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

DMP2066LSN P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝設(shè)計(jì)，適合空間受限的現(xiàn)代電子應(yīng)用。器件特性卓越額定工作電壓VDSS為20V，可承載5A的連續(xù)漏極電流，確保在低壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行；30mΩ的低導(dǎo)通電阻RD(on)，有助于減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)控制、電池保護(hù)等場(chǎng)景，是您實(shí)現(xiàn)高集成度與節(jié)能設(shè)計(jì)的理想MOS管方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

DMP2066LSN_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)