PMV30XPEA_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

PMV30XPEA P溝道MOSFET采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，為小型化電子設(shè)備提供理想解決方案。其核心技術(shù)參數(shù)包括最大工作電壓VDSS高達(dá)20V，可穩(wěn)定承載5A的連續(xù)漏極電流；導(dǎo)通電阻RD(on)僅為30mΩ，有助于減小系統(tǒng)內(nèi)阻，提高能效比。廣泛應(yīng)用于電源管理、負(fù)載開關(guān)控制、電池保護(hù)電路等，是您追求高性能與節(jié)能效果的優(yōu)選MOS管組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

PMV30XPEA_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢