Si2329DS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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Si2329DS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用經(jīng)濟高效的SOT-23封裝，適合各類緊湊型電路設(shè)計。該器件亮點在于具備20V的最大工作電壓VDSS，可穩(wěn)定輸出5A的漏極電流；并且擁有30mΩ的低導(dǎo)通電阻RD(on)，確保了更低的功率損耗和更高的系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)、電池保護等相關(guān)領(lǐng)域，是您在設(shè)計高集成度和節(jié)能方案時的理想MOS管器件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2329DS-T1-GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/30.0mR 標價：歡迎咨詢

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