PMV40UN2R_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/5.0A 參數4：RDON/33.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

PMV40UN2R N溝道MOS管采用節省空間的SOT-23封裝，專為優化電路布局而設計。器件支持最大30V的漏源極電壓(VDSS)，具備5A的強大連續漏極電流(ID)處理能力，適用于多種中高功率應用場合。其亮點在于擁有33mΩ的低導通電阻(RD(on))，顯著降低功耗，提升能效表現。這款MOS管廣泛應用在電源管理、電池保護、以及其他需要高效能、小體積半導體解決方案的領域。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

PMV40UN2R_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/5.0A 參數4：RDON/33.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/5.0A 參數4：RDON/33.0mR 標價：歡迎咨詢