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              PMV40UN2R_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/30.0V 參數3:ID/5.0A 參數4:RDON/33.0mR 標價:歡迎咨詢

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              產品介紹

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              PMV40UN2R N溝道MOS管采用節省空間的SOT-23封裝,專為優化電路布局而設計。器件支持最大30V的漏源極電壓(VDSS),具備5A的強大連續漏極電流(ID)處理能力,適用于多種中高功率應用場合。其亮點在于擁有33mΩ的低導通電阻(RD(on)),顯著降低功耗,提升能效表現。這款MOS管廣泛應用在電源管理、電池保護、以及其他需要高效能、小體積半導體解決方案的領域。



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