DMN6075S_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/72.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN6075S N溝道MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，集高效與小巧于一體。該器件憑借卓越參數(shù)脫穎而出，包括60V的最大漏源電壓(VDSS)，3A連續(xù)drain電流能力以及低至72mΩ的導(dǎo)通電阻，有效保障了系統(tǒng)的高效率和低功耗運(yùn)作。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，以強(qiáng)大的性能表現(xiàn)和可靠品質(zhì)，為您的電路設(shè)計(jì)增添強(qiáng)勁動(dòng)力。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

DMN6075S_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/72.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/72.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢