PMV30UN2R_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

PMV30UN2R 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能和小型化電子設備設計。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達6A的連續漏極電流(ID)，并具有優秀的22mΩ導通電阻(RD(on))，確保在高電流應用中也能保持低功耗和高效能。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，是構建節能、緊湊型電子解決方案的理想半導體組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

PMV30UN2R_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

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