Si2302DS_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

Si2302DS 是一款高效N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高能效和低功耗電子應(yīng)用設(shè)計。器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能穩(wěn)定承載2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，其48mΩ的導通電阻(RD(on))確保了在低功耗下仍具有出色的電能轉(zhuǎn)換效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)、電池保護系統(tǒng)等領(lǐng)域，是構(gòu)建小型化、節(jié)能型電子解決方案的理想半導體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2302DS_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢