SQ2348ES-T1_GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/5.8A 參數4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SQ2348ES-T1_GE3 是一款N溝道MOSFET，采用經濟實用的SOT-23封裝，專為現代高效率電路設計。該器件具備30V的漏源電壓(VDSS)，能夠處理高達5.8A的連續漏極電流(ID)，并擁有出色的低導通電阻性能，僅為22mR(RD(on))。廣泛應用于開關電源轉換、電機驅動及多種高功率電子系統，這款MOS管憑借卓越的電流承載能力和高效能表現，成為您設計中的理想半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SQ2348ES-T1_GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/5.8A 參數4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

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