ZVN3310F_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/2800.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

ZVN3310F N溝道MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，便于電路板布局，降低空間占用。該器件工作電壓VDSS高達100V，適用于高壓、小電流應用，提供0.2A的漏極電流ID。盡管導通電阻RD(on)為2800mΩ，但在特定低功率、精細控制需求的場合，如信號切換、邏輯電平轉(zhuǎn)換及電源管理等方面仍發(fā)揮重要作用。ZVN3310F MOS管憑借其可靠性和靈活性，成為眾多設計項目中的理想半導體元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

ZVN3310F_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/2800.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/0.2A 參數(shù)4：RDON/2800.0mR 標價：歡迎咨詢