SQ2362ES-T1_GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/5.0A 參數4：RDON/42.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SQ2362ES-T1_GE3 是一款N溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為緊湊型和便攜式電子設備設計。器件可在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，提供穩定的5A漏極電流(ID)，特別適用于對空間和功率有一定要求的應用場景。其導通電阻僅為42mΩ，有助于提升系統能效并降低能耗。廣泛應用于電源轉換、負載開關等小型電路中，是高集成度和高性能電子設計的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SQ2362ES-T1_GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/5.0A 參數4：RDON/42.0mR 標價：歡迎咨詢

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