Si2342DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

Si2342DS-T1-GE3 是一款高品質(zhì)N溝道MOS管，采用節(jié)省空間的SOT-23封裝，特別適合現(xiàn)代緊湊型電路設(shè)計需求。其關(guān)鍵特性包括額定電壓VDSS高達20V，能夠承載高達7A的連續(xù)電流，展現(xiàn)強勁的電力驅(qū)動能力。更值得一提的是，器件的導通電阻RD(on)低至15mΩ，確保在工作狀態(tài)下具有極低的能量損耗與高效的能效表現(xiàn)，是您優(yōu)化系統(tǒng)性能、提高能源利用率的絕佳選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2342DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢