IRLML6402GPBF_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/4.2A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

IRLML6402GPBF 是一款高性能P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高效能、低功耗應(yīng)用設(shè)計。其核心特性包括最高工作電壓VDSS為20V，能夠處理高達(dá)4.2A的連續(xù)漏極電流，凸顯卓越的電力管理性能。器件亮點是其超低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為48mR，有效節(jié)省能源并提升系統(tǒng)效率。得益于其出色的開關(guān)速度、高電流承載能力和穩(wěn)定的運行表現(xiàn)，IRLML6402GPBF MOS管廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電池保護、便攜式電子設(shè)備等諸多領(lǐng)域，是您電路設(shè)計的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRLML6402GPBF_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/4.2A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/4.2A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢