NX2301PVL_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/95.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NX2301PVL 是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為現(xiàn)代小型化電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠承載穩(wěn)定的2.3A漏極電流(ID)，并配備95mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在低電壓、中等電流應(yīng)用中發(fā)揮高效性能。這款MOS管適用于電源管理、負(fù)載開關(guān)控制、邏輯電平轉(zhuǎn)換等用途，是實(shí)現(xiàn)高集成度、節(jié)能型電子系統(tǒng)的重要組成部分。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

NX2301PVL_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/95.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/95.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢