2N7002E-T1-E3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/0.3A 參數4：RDON/1000.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

2N7002E-T1-E3 N溝道MOS管采用小巧的SOT-23封裝，特別適合空間有限的設計項目。該器件支持高達60V的漏源電壓(VDSS)，并能提供0.3A的連續漏極電流(ID)，適用于低至中等電流級別的應用。其導通電阻RD(on)為1000mR，盡管相對較高，但在微小電流傳輸或信號控制方面表現出色。廣泛應用于電源管理、邏輯電平轉換、低功率電路控制等領域，是微型化電子產品的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

2N7002E-T1-E3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/0.3A 參數4：RDON/1000.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/0.3A 參數4：RDON/1000.0mR 標價：歡迎咨詢