2N7002K-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/0.3A 參數4：RDON/1000.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

2N7002K-T1-GE3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，特別適合于緊湊型電子設計。它能在60V的電壓下穩定工作（VDSS），并支持0.3A的最大連續漏極電流（ID）。關鍵優勢在于其超低的導通電阻RD(on)僅為1000mR，有效減少能量損耗，提升系統效率。廣泛應用在電源轉換、負載開關以及低電壓、小電流的邏輯電平轉換等領域，是工程師們的理想組件之一。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

2N7002K-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/0.3A 參數4：RDON/1000.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/0.3A 參數4：RDON/1000.0mR 標價：歡迎咨詢