BSH111BKR_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

BSH111BKR 是一款N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，特別適用于緊湊型電子設(shè)計。該器件具有60V的漏源電壓額定值(VDSS)，可承載0.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，且因其卓越的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻低至1000mR，有效減少能源損耗，提升系統(tǒng)效率。廣泛運用于電源轉(zhuǎn)換、開關(guān)控制、電機驅(qū)動等各種電路中，是您實現(xiàn)低功耗、高性能設(shè)計的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BSH111BKR_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/0.3A 參數(shù)4：RDON/1000.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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