FDN308P_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/3.0A 參數4：RDON/60.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

FDN308P 是一款P溝道MOSFET，采用小型化SOT-23封裝，專為高密度電子電路設計。其核心性能包括最大漏源電壓(VDSS)為20V，能穩定輸出3A漏極電流(ID)，同時具有較低的60mΩ導通電阻(RD(on))，在低電壓、中等電流應用中表現出色。這款MOS管適用于電源管理、負載開關控制、邏輯電平轉換等功能場景，是優化系統效能和縮小產品體積的理想半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDN308P_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/3.0A 參數4：RDON/60.0mR 標價：歡迎咨詢

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