DMN2056U_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN2056U 是一款高性能N溝道MOSFET，采用小巧的SOT-23封裝，專為高功率密度電路設計。器件具備20V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達6A的連續(xù)漏極電流(ID)，且具有出色的22mΩ導通電阻(RD(on))，確保了更低的功率損耗和更高的能源效率。廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池管理系統(tǒng)等領域，是實現(xiàn)小型化、節(jié)能電子解決方案的理想半導體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN2056U_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢