DMN3042L_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.8A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN3042L 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，為高功率密度設(shè)計(jì)提供理想解決方案。器件具有30V的漏源電壓耐受值(VDSS)，并能在正常工作狀態(tài)下承載高達(dá)5.8A的漏極電流(ID)，同時(shí)，得益于其低至28mR的導(dǎo)通電阻(RD(on))，實(shí)現(xiàn)了卓越的能效表現(xiàn)。此款MOS管廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及其它高電流、高效能的電子系統(tǒng)中，是您提升系統(tǒng)性能和節(jié)能效率的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

DMN3042L_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.8A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.8A 參數(shù)4：RDON/28.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢