NTR4171P_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.2A 參數(shù)4：RDON/45.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTR4171P MOS管是一款高效P溝道半導體器件，采用小型SOT-23封裝形式，節(jié)省電路板空間。其工作電壓高達30V，并能在系統(tǒng)中穩(wěn)定提供4.2A的電流ID。值得一提的是，該器件導通電阻為45mR，確保在傳輸過程中損耗較低，能效較高。廣泛應(yīng)用于電源管理、電池保護和負載開關(guān)等各種需要精確控制電流流向的應(yīng)用場景，是您設(shè)計項目中的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTR4171P_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.2A 參數(shù)4：RDON/45.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.2A 參數(shù)4：RDON/45.0mR 標價：歡迎咨詢