Si2302CDS-T1-E3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

Si2302CDS-T1-E3 型號MOS管，采用小巧SOT-23封裝，內含高性能N溝道技術，專為高效率電路設計。器件具有20V的漏源電壓(VDSS)，能夠承載高達2.3A的連續漏極電流(ID)，適用于多種中小功率應用場合。其導通電阻僅為48mR(RD(on))，確保了較低的功率損耗和較高的系統效能。廣泛應用于電源管理、負載開關及低壓開關電路中，是您提升電子設備性能的理想半導體組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

Si2302CDS-T1-E3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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