Si2302CDS-T1-GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

Si2302CDS-T1-GE3 型號(hào)MOS管采用微型SOT-23封裝，內(nèi)置先進(jìn)N溝道技術(shù)，專為優(yōu)化電路效率而生。該器件工作在20V的漏源電壓(VDSS)下，可承載最大2.3A的連續(xù)漏極電流(ID)，適合于中小功率應(yīng)用場(chǎng)合。尤為突出的是其48mR的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效減少功率損耗，提升系統(tǒng)效能。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)控制及低壓電子設(shè)備的開關(guān)電路中，是您提升產(chǎn)品性能與節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

Si2302CDS-T1-GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/2.3A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢