MGSF2N02EL_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

MGSF2N02EL 是一款高效能N溝道MOS管，采用節(jié)省空間的SOT-23封裝形式，特別適用于緊湊型電路設計。該器件擁有穩(wěn)定的20V漏源電壓VDSS，最大連續(xù)漏極電流可達2.3A，確保在高壓環(huán)境下也能提供卓越的電流承載能力。尤為突出的是其低至48mR的導通電阻RD(on)，有效減少能量損失，提升系統(tǒng)效能，廣泛應用于開關電源、馬達驅動及各類追求高效率的電子設備設計中。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MGSF2N02EL_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢